Транзисторы 2N5551 и 2N5401
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,650 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 80 МГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 160в.
Максимальное напряжение коллектор — база — 180в.
Максимальное напряжение эмиттер — база — 6в.
Коэффициент передачи тока :
У транзисторов 2N5551A — от 80 до 160.
У транзисторов 2N5551B — от 120 до 180.
У транзисторов 2N5551C — от 150 до 250.
Максимальный постоянный ток коллектора — 0,6А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 180в. не более 0,1 мА.
Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 0,1 мА.
Характеристики
Таблица максимальных значений основных параметров транзистора 2N5401 при температуре 25°С
Параметр | Значение |
---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер | 150 В |
Напряжение коллектор-база | 160 В |
Напряжение эмиттер-база | 5 В |
Рассеиваемая мощность | 625 мВт |
Ток коллектора | 600 мА |
Тепловое сопротивление, с теплоотводом | 83 °С/Вт |
Тепловое сопротивление, без теплоотвода | 200 °С/Вт |
Рабочая температура | от -55 до 150 °С |
Частота коэффициента передачи тока | 300 МГц |
Коэффициент передачи тока | от 60 до 240 |
Ток коллектора | 0,3А – постоянный 0,6А –пульсирующий |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (ток коллектора – 50мА, ток базы – 5мА) | менее 0,5 В |
Напряжение насыщения база-эмиттер (ток коллектора – 50мА, ток базы – 5мА) | менее 1 В |
Обратный ток коллектор — база при напряжении коллектор-база 160В | менее 50 нА |
Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4В | менее 50 нА |